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IRF1407PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1407PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark63J7199
También conocido comoSP001564238
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| Cantidad | Precio |
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| 10+ | $1.430 |
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| 500+ | $1.030 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1407PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark63J7199
También conocido comoSP001564238
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id130
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0078
Resistencia de Activación Rds(on)0.0078ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd330W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia330
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF1407PBF es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET de potencia HEXFET® son una temperatura de operación de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida y un índice de avalancha repetitivo mejorado. Estos beneficios se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0078
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
130
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0078ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
330W
Disipación de Potencia
330
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF1407PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
