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IRF1404ZPBF
MOSFET POT, CANAL N, 40V, 190A
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1404ZPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark63J7191
También conocido comoSP001574476
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1404ZPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark63J7191
También conocido comoSP001574476
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id190A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3700µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0037ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd220W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia220W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF1404ZPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal N de 40V que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura operativa de unión de 175°C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada. Sus características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3700µohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
190A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0037ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
220W
Disipación de Potencia
220W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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