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IRF100B201
MOSFET, CANAL N, 100V, 192A, TO-220AB
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF100B201Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 12AC9745 |
| Rango de Producto | StrongIRFET, HEXFET |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
5,425 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.830 |
| 10+ | $3.350 |
| 25+ | $3.040 |
| 50+ | $2.720 |
| 100+ | $2.510 |
| 250+ | $2.330 |
| 500+ | $2.150 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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$4.83
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF100B201Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 12AC9745 |
| Rango de Producto | StrongIRFET, HEXFET |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 192A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 4200µohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0035ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4V |
| Disipación de Potencia | 441W |
| Disipación de Potencia Pd | 441W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Rango de Producto | StrongIRFET, HEXFET |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (04-Feb-2026) |
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® adecuado para su uso en aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas, aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, fuentes de alimentación de modo resonante, interruptores de potencia redundantes y de operación O Inversores AC, convertidores CD/CD y CA/CD.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 4200µohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia | 441W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | StrongIRFET, HEXFET |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 192A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0035ohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4V |
| Disipación de Potencia Pd | 441W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (04-Feb-2026) |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |