
¿Necesita más?
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.470 | $1.47 |
| Total Precio | $1.47 | ||
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.470 |
| 10+ | $1.080 |
| 25+ | $0.964 |
| 50+ | $0.909 |
| 100+ | $0.855 |
| 250+ | $0.802 |
| 500+ | $0.770 |
Información del producto
Resumen del producto
El IR2106STRPBF es un controlador de MOSFET e IGBT de alta tensión y alta velocidad con canales de salida independientes con referencia a lado alto y bajo. Las tecnologías HVIC y CMOS inmunes a enganches, de propiedad exclusiva, permiten una construcción monolítica robusta. La entrada lógica es compatible con la salida CMOS o LSTTL estándar, hasta una lógica de 3.3V. El controlador de salida presenta una etapa de buffer de corriente de alto pulso diseñada para una conducción cruzada mínima del conductor. El canal flotante se puede utilizar para controlar un MOSFET de potencia de canal N o IGBT en la configuración de lado alto que opera hasta 600V.
- Canal flotante diseñado para funcionamiento con arranque automático, totalmente operativo hasta +600V, lógica de entrada HIN/LIN.
- Tolerante a sobrevoltajes transitorios negativos, inmune a dV/dt, bloqueo por subtensión para ambos canales.
- Rango de alimentación de control de puerta de 10 a 20V, sincronización del retardo de encendido y apagado de 30ns máximo (TA=25 °C).
- Retardo de propagación igual para ambos canales, tierra lógica y de alimentación con desplazamiento de ±5V
- Controlador de puerta di/dt bajo para una mejor inmunidad al ruido, salidas en fase con las entradas, pines de tierra COM
- Corriente de cortocircuito pulsada alta de salida: 120mA mín. (VO=0V, PW ≤ 10µs)
- Corriente de cortocircuito pulsada baja de salida: 250mA mín. (VO=15V, PW ≤ 10µs)
- Retardo de propagación de encendido: 220 ns típico (VS=0V, VBIAS (VCC, VBS)=15V, CL=1000pF y TA=25 °C)
- Retardo de propagación de apagado: 200 ns típico (VS=600 V, CL=1000 pF y TA=25 °C)
- Encapsulado SOIC de 8 pines, rango de temperatura ambiente de -40 a 125 °C.
Especificaciones técnicas
2Canales
Lado Alto y Lado Bajo
8Pines
SOIC
No Inversor
350
20
125
200
-
No SVHC (25-Jun-2025)
-
MOSFET
0
Surface Mount
200
10
-40
220
-
MSL 2 - 1 year
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
