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IPW60R190P6FKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R190P6FKSA1
No. Parte Newark54X5233
También conocido comoIPW60R190P6, SP001017090
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|---|---|
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| 50+ | $3.410 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R190P6FKSA1
No. Parte Newark54X5233
También conocido comoIPW60R190P6, SP001017090
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id20.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.171ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd151W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia151
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPW60R190P6FKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The IPW60R190P6 is a 600V CoolMOS™ P6 N-channel Power MOSFET with reduced gate charge. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ P6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
- Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use
- Increased dV/dt ruggedness
- Halogen-free, Green device
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Higher Vth
- Optimized integrated Rg
- Improved efficiency especially in light load condition
- Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-OFF
- Suitable for hard and soft-switching topologies
- Optimized balance of efficiency and ease of use and good controllability of switching behaviour
- High robustness and better efficiency
- Outstanding quality and reliability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
151W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.171ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
151
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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