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IPW60R075CPFKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 39 A, 0.075 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.040 |
| 10+ | $9.930 |
| 25+ | $9.810 |
| 50+ | $9.700 |
| 100+ | $9.580 |
| 250+ | $9.470 |
| 500+ | $8.890 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark50Y2086
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id39
Resistencia de Activación Rds(on)0.068ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia313
Disipación de Potencia Pd313W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.068ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
313
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
39
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
313W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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