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IPW60R070CFD7XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 31 A, 70 mohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R070CFD7XKSA1
No. Parte Newark43AC9330
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
Hoja de datos técnicos
492 En Inventario
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344 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.320 |
| 10+ | $5.660 |
| 25+ | $4.290 |
| 50+ | $4.150 |
| 100+ | $3.970 |
| 480+ | $3.910 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R070CFD7XKSA1
No. Parte Newark43AC9330
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Resistencia de Activación Rds(on)0.057ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd156W
Disipación de Potencia156
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ CFD7 de 600V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje. Diseñado según el principio de superunión (SJ) y adecuado para topologías de conmutación suave, optimizado para puente completo de cambio de fase (ZVS), servidor de aplicaciones LLC, telecomunicaciones, carga de vehículos eléctricos.
- Diodo de cuerpo ultrarrápido
- Baja carga de compuerta
- El mejor cargo de recuperación inversa (Qrr) de su clase
- Resistencia mejorada de diodo inverso MOSFET dv/dt y diF/dt
- FOM más bajo RDS (encendido) * Qg y RDS (encendido) * Eoss
- Excelente robustez de conmutación dura
- Máxima fiabilidad para topologías resonantes
- Máxima eficiencia con excelente equilibrio entre facilidad de uso y rendimiento
- Habilitación de soluciones de mayor densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
156W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CFD7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia de Activación Rds(on)
0.057ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
156
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPW60R070CFD7XKSA1
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65