IPW60R045CPFKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Agujero Pasante
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IPW60R045CPFKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 15 semanas |
| No. Parte Newark | 33P7194 |
| También conocido como | IPW60R045CP, SP000067149 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
¿Necesita más?
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $17.380 |
| 10+ | $13.660 |
| 100+ | $9.930 |
| 500+ | $9.270 |
| 1000+ | $8.650 |
| 2500+ | $8.480 |
| 10000+ | $8.300 |
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IPW60R045CPFKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 15 semanas |
| No. Parte Newark | 33P7194 |
| También conocido como | IPW60R045CP, SP000067149 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 650 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 60 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.045 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.04ohm |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 431W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 431 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El IPW60R045CP es un MOSFET de potencia CoolMOS™ de canal N de 650V diseñado para topologías de conmutación duras y blandas, CCM PFC, así como PWM para ATX, adaptador de computadora portátil PDP y TV LCD. El CoolMOS™ MOSFET ofrece una reducción significativa de las pérdidas de conducción, conmutación y conducción y permite una alta densidad de potencia y eficiencia para sistemas de conversión de potencia superiores. La última generación de MOSFET de potencia de alto voltaje hace que las fuentes de alimentación de CA-CD sean más eficientes, más compactas, más livianas y más frías que nunca.
- Cifra más baja de mérito R en x Qg
- Ultra baja carga de compuerta
- Extremo clasificado dV/dt
- Conmutación muy rápida
- Gran capacidad de corriente
- Reducción significativa de las pérdidas de conducción y conmutación.
- Alta densidad de potencia y eficiencia para sistemas de conversión de potencia superiores.
- La mejor relación de rendimiento de su clase
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 650 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.045 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 60 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.04ohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 431W |
| Disipación de Potencia | 431 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPW60R045CPFKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |