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IPW60R041P6FKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R041P6FKSA1
No. Parte Newark12AC9733
Rango de ProductoCoolMOS P6
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| Cantidad | Precio |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW60R041P6FKSA1
No. Parte Newark12AC9733
Rango de ProductoCoolMOS P6
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id77.5
Resistencia de Activación Rds(on)0.037ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.041
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia481
Disipación de Potencia Pd481W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS P6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ P6 de 600V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje. Diseñado según el principio de superunión (SJ) y adecuado para su uso en etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonantepor ej. PC silverbox, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
- Mayor robustez MOSFET dv/dt
- Pérdidas extremadamente bajas debido a la muy baja DE Edson*Qg y Ross
- Muy alta robustez de conmutación
- Fácil de usar/manejar
- Compuesto moldeado libre de halógenos
- Calificado para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.037ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
481
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
77.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.041
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
481W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto