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IPW60R024CFD7XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 77 A, 0.024 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IPW60R024CFD7XKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 semanas |
| No. Parte Newark | 42AH1846 |
| Rango de Producto | CoolMOS CFD7 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
239 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $18.810 |
| 10+ | $16.760 |
| 25+ | $14.700 |
| 50+ | $12.650 |
| 100+ | $11.910 |
| 250+ | $11.290 |
| 500+ | $11.060 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$18.81
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IPW60R024CFD7XKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 semanas |
| No. Parte Newark | 42AH1846 |
| Rango de Producto | CoolMOS CFD7 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 77 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.024 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 320 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | CoolMOS CFD7 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | CoolMOS CFD7 |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 77 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.024 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Disipación de Potencia | 320 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |