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IPU80R4K5P7AKMA1
MOSFET, N-CH, 800V, 1.5A, TO-251
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPU80R4K5P7AKMA1Copiar
No. Parte Newark34AC1730
Rango de ProductoCoolMOS P7
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.180 |
| 10+ | $0.508 |
| 100+ | $0.451 |
| 500+ | $0.371 |
| 1000+ | $0.336 |
| 3000+ | $0.314 |
| 10500+ | $0.275 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPU80R4K5P7AKMA1Copiar
No. Parte Newark34AC1730
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.8ohm
Diseño de TransistorTO-251
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia13W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-251
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.8ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
13W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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