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IPTC011N08NM5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 408 A, 0.0011 ohm, HDSOP, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPTC011N08NM5ATMA1Copiar
No. Parte Newark63AK1719
Rango de ProductoOptiMOS Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.480 |
| 10+ | $4.900 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPTC011N08NM5ATMA1Copiar
No. Parte Newark63AK1719
Rango de ProductoOptiMOS Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id408
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1100µohm
Diseño de TransistorHDSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8
Disipación de Potencia375
No. de Pines16Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
408
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1100µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8
No. de Pines
16Pines
Rango de Producto
OptiMOS Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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