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IPP65R095C7XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP65R095C7XKSA1
No. Parte Newark13AC9084
Rango de ProductoCoolMOS C7
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP65R095C7XKSA1
No. Parte Newark13AC9084
Rango de ProductoCoolMOS C7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.095
Resistencia de Activación Rds(on)0.084ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia Pd128W
Disipación de Potencia128
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS C7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPP65R095C7XKSA1
2 productos encontrados
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ C7 de 650V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje. Diseñado de acuerdo con el principio de superunión (SJ) y adecuado para su uso en etapas PFC y etapas PWM para, por ejemplo, informática, servidor, telecomunicaciones, UPS y solar.
- Mayor robustez del MOSFET dv/dt
- Mejor eficiencia gracias al mejor de su clase FOM RDS (activado) * Eoss y RDS (activado) * Qg
- RDS (on)/paquete de primera en su clase
- Fácil de usar/manejar
- Calificado para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22)
- Permitiendo una mayor eficiencia del sistema
- Habilitación de soluciones de mayor frecuencia/mayor densidad de potencia
- Ahorro de costos/tamaño del sistema debido a la reducción de los requisitos de refrigeración
- Mayor confiabilidad del sistema debido a temperaturas de funcionamiento más bajas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.095
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
128W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS C7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia de Activación Rds(on)
0.084ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia
128
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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