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IPP65R065C7XKSA1
MOSFET, N-CH, 650V, 33A, TO-220
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP65R065C7XKSA1
No. Parte Newark49AC0302
Rango de ProductoCoolMOS C7
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP65R065C7XKSA1
No. Parte Newark49AC0302
Rango de ProductoCoolMOS C7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id33A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.058ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia171W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS C7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.058ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS C7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
33A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
171W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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