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IPP60R199CPXKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP60R199CPXKSA1Copiar
No. Parte Newark33P7176
También conocido comoIPP60R199CP, SP000084278
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| Cantidad | Precio |
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| 1+ | $4.390 |
| 10+ | $2.880 |
| 25+ | $2.650 |
| 50+ | $2.400 |
| 100+ | $2.160 |
| 250+ | $2.040 |
| 500+ | $1.910 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP60R199CPXKSA1Copiar
No. Parte Newark33P7176
También conocido comoIPP60R199CP, SP000084278
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.199
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd139W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia139
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPP60R199CP es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 650V que presenta una carga de puerta ultrabaja. Está diseñado para topologías de conmutación dura, aplicaciones de servidor y telecomunicaciones.
- Baja figura de mérito (FOM) RON x Qg
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Conmutación muy rápida
- Gran capacidad de corriente
- Reducción significativa de las pérdidas de conducción y conmutación.
- Alta densidad de potencia y eficiencia para sistemas de conversión de potencia superiores.
- La mejor relación de rendimiento de su clase
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
139
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.199
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
139W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPP60R199CPXKSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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