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IPP60R160C6XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP60R160C6XKSA1
No. Parte Newark30T1843
También conocido comoIPP60R160C6, SP000652796
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.460 |
| 10+ | $2.940 |
| 25+ | $2.690 |
| 50+ | $2.440 |
| 100+ | $2.190 |
| 250+ | $2.070 |
| 500+ | $1.940 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.46
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP60R160C6XKSA1
No. Parte Newark30T1843
También conocido comoIPP60R160C6, SP000652796
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id23.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16
Resistencia de Activación Rds(on)0.14ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd176W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia176
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IPP60R160C6 is a 600V CoolMOS™ C6 N-channel Power MOSFET features easy control of switching behaviour. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
- Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use
- Better light load efficiency
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- Better performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
- More efficient, more compact, lighter and cooler
- Improved power density
- Improved reliability
- General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies
- Improved efficiency in hard switching applications
- Reduces possible ringing due to PCB layout and package parasitic effects
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
23.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.14ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
176
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
176W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPP60R160C6XKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Trazabilidad del producto