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IPP60R070CFD7XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 31 A, 70 mohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP60R070CFD7XKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark43AC9326
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.300 |
| 10+ | $7.180 |
| 25+ | $6.050 |
| 50+ | $4.930 |
| 100+ | $4.610 |
| 250+ | $4.330 |
| 500+ | $4.040 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP60R070CFD7XKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark43AC9326
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Resistencia de Activación Rds(on)0.057ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia156
Disipación de Potencia Pd156W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ CFD7 de 600V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje. Diseñado de acuerdo con el principio de superjunción (SJ) adecuado para su uso en topologías de conmutación suave optimizadas para puente completo con desplazamiento de fase (ZVS), servidor de aplicaciones LLC, telecomunicaciones, carga de vehículos eléctricos.
- Diodo de cuerpo ultra-rápido
- Baja carga de compuerta
- La mejor carga de recuperación inversa de su clase(Qrr)
- Robustez mejorada del diodo inverso dv/dt y diF/dt del MOSFET
- Excelente robustez de conmutación dura
- Máxima fiabilidad para topologías resonantes
- Máxima eficiencia sin tener que sacrificar rendimiento/facilidad de uso
- Habilitación de soluciones de mayor densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
156
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CFD7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia de Activación Rds(on)
0.057ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
156W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPP60R070CFD7XKSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
