Imprimir página
IPP220N25NFDAKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 61 A, 0.022 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP220N25NFDAKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark12AC9728
Rango de ProductoOptiMOS FD
Su número de pieza
212 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.880 |
| 10+ | $3.780 |
| 25+ | $3.570 |
| 50+ | $3.420 |
| 100+ | $3.280 |
| 250+ | $3.110 |
| 500+ | $3.060 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.88
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP220N25NFDAKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark12AC9728
Rango de ProductoOptiMOS FD
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id61
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Resistencia de Activación Rds(on)0.019ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS FD
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS™ FD de 250V
- Canal-N, nível nominal
- Diodo rápido (FD) con Qrr reducido
- Optimizado para la dureza de conmutación dura
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Temperatura de operación de 175°C
- Calificado según JEDEC para aplicación obejtivo.
- Libre de halógenos según IEC61249-2-21
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS FD
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
61
Resistencia de Activación Rds(on)
0.019ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto