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IPP147N12N3GXKSA1
MOSFET, CAN N, 120V, 41A, TO-220-3
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FabricanteINFINEON
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.730 |
| 10+ | $1.760 |
| 100+ | $1.210 |
| 500+ | $0.968 |
| 1000+ | $0.949 |
| 2500+ | $0.929 |
| 10000+ | $0.910 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP147N12N3GXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark50Y2064
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120V
Intensidad Drenador Continua Id41A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0126ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia107W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
41A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0126ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
107W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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