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IPP100N08N3GXKSA1
MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 80 V, 0.0084 ohm, 10 V, 2.8 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP100N08N3GXKSA1
No. Parte Newark50Y2058
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP100N08N3GXKSA1
No. Parte Newark50Y2058
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8400µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia100W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8400µohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
100W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidad del producto