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IPP040N08NF2SAKMA1
MOSFET, N-CH, 80V, 115A, TO-220 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP040N08NF2SAKMA1
No. Parte Newark36AJ3710
Rango de ProductoStrongIRFET 2
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.190 |
| 10+ | $2.140 |
| 100+ | $1.990 |
| 500+ | $1.910 |
| 1000+ | $1.830 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP040N08NF2SAKMA1
No. Parte Newark36AJ3710
Rango de ProductoStrongIRFET 2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id115A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3600µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia150W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET 2
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3600µohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET 2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
115A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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