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IPP040N06N3GXKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP040N06N3GXKSA1
No. Parte Newark60R2734
También conocido comoIPP040N06N3 G, SP000680788
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.270 |
| 10+ | $2.040 |
| 100+ | $1.640 |
| 500+ | $1.340 |
| 1000+ | $1.110 |
| 2500+ | $1.040 |
| 10000+ | $1.000 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP040N06N3GXKSA1
No. Parte Newark60R2734
También conocido comoIPP040N06N3 G, SP000680788
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id90
Resistencia de Activación Rds(on)0.0033ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.004
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd188W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia188
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPP040N06N3 G es un MOSFET de potencia de canal N, la elección perfecta para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Además, se puede utilizar para una amplia gama de aplicaciones, incluido el microinversor solar y el convertidor CD a CD de conmutación rápida.
- R DS de muy baja resistencia a la conexión (encendido)
- Ideal para aplicaciones de conmutación rápida
- Libre de halógenos
- Clasificación MSL1
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.004
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
188W
Disipación de Potencia
188
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0033ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IPP040N06N3GXKSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto