Imprimir página
IPN70R1K5CEATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPN70R1K5CEATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97Y1837
Cinta adhesiva97Y1837
Rango de ProductoCoolMOS CE
Su número de pieza
745 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.040 | $1.04 |
| Total Precio | $1.04 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.040 |
| 10+ | $0.679 |
| 25+ | $0.609 |
| 50+ | $0.540 |
| 100+ | $0.470 |
| 250+ | $0.425 |
| 500+ | $0.380 |
| 1000+ | $0.351 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPN70R1K5CEATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97Y1837
Cinta adhesiva97Y1837
Rango de ProductoCoolMOS CE
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700
Intensidad Drenador Continua Id5.4
Resistencia de Activación Rds(on)1.35ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd5W
Disipación de Potencia5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS CE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ CE de 700V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje. Diseñado según el principio de superjunción (SJ) y adecuado para adaptador, cargador e iluminación.
- Pérdidas extremadamente bajas debido a muy bajas DE Edson * Qg y Ross
- Muy alta robustez de conmutación
- Fácil de usar/manejar
- Compuesto de molde libre de halógenos
- Calificado para aplicaciones de grado estándar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700
Resistencia de Activación Rds(on)
1.35ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
5W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CE
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto