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IPL65R070C7AUMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 28 A, 70 mohm, VSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPL65R070C7AUMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9064
Cinta adhesiva13AC9064
Rango de ProductoCoolMOS C7
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.330 | $5.33 |
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPL65R070C7AUMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9064
Cinta adhesiva13AC9064
Rango de ProductoCoolMOS C7
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id28
Resistencia de Activación Rds(on)0.062ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Diseño de TransistorVSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia169
Disipación de Potencia Pd169W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS C7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
650V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) *Eoss and RDS(on)*Qg
- Thin PAK SMD package with very low parasitic inductance to enable fast and reliable switching
- Easy to use/drive due to driver source pin for better control of the gate
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Enabling higher frequency/increased power density solutions
- System cost/size savings due to reduced cooling requirements
- Higher system reliability due to lower operating temperatures
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.062ohm
Diseño de Transistor
VSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
169
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
CoolMOS C7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
28
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia Pd
169W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto