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IPL65R070C7AUMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 28 A, 70 mohm, VSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPL65R070C7AUMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9064RL
Cinta adhesiva13AC9064
Rango de ProductoCoolMOS C7
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.890 | $7.89 |
| Total Precio | $7.89 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.890 |
| 50+ | $4.320 |
| 100+ | $3.970 |
| 250+ | $3.890 |
| 500+ | $3.810 |
| 1000+ | $3.730 |
| 2500+ | $3.650 |
| 5000+ | $3.570 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPL65R070C7AUMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9064RL
Cinta adhesiva13AC9064
Rango de ProductoCoolMOS C7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id28
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Resistencia de Activación Rds(on)0.062ohm
Diseño de TransistorVSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia Pd169W
Disipación de Potencia169
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS C7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
650V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) *Eoss and RDS(on)*Qg
- Thin PAK SMD package with very low parasitic inductance to enable fast and reliable switching
- Easy to use/drive due to driver source pin for better control of the gate
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Enabling higher frequency/increased power density solutions
- System cost/size savings due to reduced cooling requirements
- Higher system reliability due to lower operating temperatures
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Diseño de Transistor
VSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
169W
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
CoolMOS C7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
28
Resistencia de Activación Rds(on)
0.062ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia
169
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto