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IPL60R185CFD7AUMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPL60R185CFD7AUMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43AC9325RL
Cinta adhesiva43AC9325
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
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1,890 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.200 | $3.20 |
| Total Precio | $3.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.200 |
| 50+ | $1.650 |
| 100+ | $1.440 |
| 250+ | $1.330 |
| 500+ | $1.220 |
| 1000+ | $1.190 |
| 2500+ | $1.130 |
| 5000+ | $1.070 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPL60R185CFD7AUMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43AC9325RL
Cinta adhesiva43AC9325
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id14
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.185
Resistencia de Activación Rds(on)0.153ohm
Diseño de TransistorVSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia85
Disipación de Potencia Pd85W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ CFD7 de 600V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje. Diseñado de acuerdo con el principio de superunión (SJ) adecuado para su uso en topologías de conmutación suave optimizadas para puente completo de cambio de fase (ZVS), servidor de aplicaciones LLC, telecomunicaciones, carga EV.
- Diodo de cuerpo ultrarrápido
- Baja carga de compuerta
- La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
- Resistencia mejorada de diodo inverso MOSFET dv/dt y diF/dt
- Excelente robustez de conmutación dura
- Máxima fiabilidad para topologías resonantes
- Máxima eficiencia sin sacrificar la facilidad de uso/rendimiento
- Habilitación de soluciones de mayor densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.185
Diseño de Transistor
VSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
85
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
CoolMOS CFD7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
14
Resistencia de Activación Rds(on)
0.153ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
85W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto