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IPI029N06NAKSA1
MOSFET, CANAL N, 60V, 100A, TO-262
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| 500+ | $1.160 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPI029N06NAKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark34AC1699
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2700µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-262
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)2.8V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente10V
Disipación de Potencia136W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2700µohm
Diseño de Transistor
TO-262
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.8V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
10V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
136W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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