Imprimir página
IPG20N10S4L22ATMA1
MOSFET Doble, Canal N, 100 V, 20 A, 0.02 ohms, TDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N10S4L22ATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9059
Cinta adhesiva13AC9059
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Su número de pieza
17,641 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 8 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.477 | $0.48 |
| Total Precio | $0.48 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $2.410 | $0.477 |
| 10+ | $1.560 | $0.477 |
| 25+ | $1.390 | $0.477 |
| 50+ | $1.220 | $0.477 |
| 100+ | $1.050 | $0.477 |
| 250+ | $0.948 | $0.477 |
| 500+ | $0.845 | $0.477 |
| 1000+ | $0.824 | $0.477 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N10S4L22ATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9059
Cinta adhesiva13AC9059
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.02ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorTDSON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N60W
Disipación de Potencia de Canal P60W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPG20N10S4L22ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El IPG20N10S4L22ATMA1 es un transistor de potencia OptiMOS™-T2. Las aplicaciones incluyen el sistema de gestión de baterías de automóviles (BMS), la inyección directa diésel, la inyección multipuerto de gasolina y la carga inalámbrica en la cabina.
- Aprobado por AEC Q101
- Probado avalancha 100%
- Factible para inspección óptica automática (AOI)
- Encapsulado PG-TDSON-8-10
- La corriente de drenaje continuo de un canal activo es de 20A a TC=25 °C, VGS=10V
- El voltaje de la fuente de la puerta es ±16V a Tj=25 °C
- Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a +175 °C
- El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje es de 100V a VGS=0V, ID= 1mA, Tj=25 °C
- La resistencia en estado encendido de la fuente de drenaje es de 24 mohm a VGS=4.5V, I D=10 A, Tj=25 °C
- La carga de la puerta a la fuente es de 4.3nC a VDD=80V, ID=20A, VGS=0 a 10V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.02ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
60W
Rango de Producto
OptiMOS T2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.02ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia de Canal N
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
