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IPD90N10S4L06ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90 A, 0.0066 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD90N10S4L06ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5244
Re-reeling (Rollos a medida)34AC1693RL
Cinta adhesiva34AC1693
Rango de ProductoOptiMOS T2
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5,351 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.950 | $2.95 |
| Total Precio | $2.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.950 |
| 50+ | $1.460 |
| 100+ | $1.310 |
| 250+ | $1.210 |
| 500+ | $0.975 |
| 1000+ | $0.956 |
| 2500+ | $0.936 |
| 5000+ | $0.917 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.956 |
| 7500+ | $0.889 |
| 12500+ | $0.871 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD90N10S4L06ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5244
Re-reeling (Rollos a medida)34AC1693RL
Cinta adhesiva34AC1693
Rango de ProductoOptiMOS T2
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id90A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0058ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0066
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia136W
Disipación de Potencia Pd136W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS T2
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS® -T2
- Modo de mejora - canal N
- Automotriz calificado AEC Q101
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0058ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
136W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS T2
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0066
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
Disipación de Potencia Pd
136W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPD90N10S4L06ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto