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IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET POT, CANAL N, 30V, 90A
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD90N03S4L02ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5240
Re-reeling (Rollos a medida)85X6035RL
Cinta adhesiva85X6035
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18,539 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.630 | $2.63 |
| Total Precio | $2.63 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.630 |
| 50+ | $1.340 |
| 100+ | $1.120 |
| 250+ | $1.030 |
| 500+ | $0.944 |
| 1000+ | $0.879 |
| 2500+ | $0.790 |
| 5000+ | $0.774 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.060 |
| 5000+ | $1.020 |
| 7500+ | $0.981 |
| 12500+ | $0.961 |
| 25000+ | $0.942 |
| 62500+ | $0.922 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD90N03S4L02ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5240
Re-reeling (Rollos a medida)85X6035RL
Cinta adhesiva85X6035
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id90A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0018ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2200µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia Pd136W
Disipación de Potencia136W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IPD90N03S4L-02 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
- Ultra low RDS (ON)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0018ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
136W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Disipación de Potencia
136W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Alternativas para el número de pieza IPD90N03S4L02ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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