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IPD80R450P7ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD80R450P7ATMA1
No. Parte Newark16AC3362
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD80R450P7ATMA1
No. Parte Newark16AC3362
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia de Activación Rds(on)0.38ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.45ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd73W
Disipación de Potencia73
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ P7 de 800V. Recomendado para topologías flyback de conmutación dura y blanda para iluminación LED, cargadores y adaptadores de baja potencia, audio, potencia AUX y potencia industrial. También apto para etapa PFC en aplicaciones de consumo y solar.
- FOM RDS, el mejor en su clase (activado) * Eoss; reducción de Qg, Ciss y Coss
- El mejor DPAK RDS de su clase (activado)
- La mejor V (GS) de su clase de 3V y la variación más pequeña de V (GS) de ±0.5V
- Protección ESD de diodo Zener integrada
- La mejor calidad y confiabilidad de CoolMOS™ en su clase
- Calificado para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22)
- Portafolio totalmente optimizado
- El mejor rendimiento de su clase, fácil de conducir y en paralelo
- Permitiendo diseños de mayor densidad de energía, ahorro de lista de materiales y menores costos de ensamblaje
- Mejor rendimiento de producción al reducir las fallas relacionadas con ESD
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
0.38ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
73W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.45ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
73
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto