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IPD65R225C7ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 11 A, 0.225 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD65R225C7ATMA1
No. Parte Newark54X5227
También conocido comoIPD65R225C7, SP000929430
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| 1000+ | $1.000 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD65R225C7ATMA1
No. Parte Newark54X5227
También conocido comoIPD65R225C7, SP000929430
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.225
Resistencia de Activación Rds(on)0.199ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd63W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia63
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IPD65R225C7 is a 650V CoolMOS™ C7 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C7 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super-junction MOSFET offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
- Increased dV/dt ruggedness
- Better efficiency due to best in class FOM RDS (ON) x Eoss and RDS (ON) x Qg
- Best in class RDS (ON)
- Easy to use/drive
- Halogen-free
- Enabling higher system efficiency
- Enabling higher frequency
- Increased power density solutions
- Size savings due to reduced cooling requirements
- Higher system reliability due to lower operating temperatures
- Reduced energy stored in output capacitance(Eoss)
- Low switching losses
- Outstanding CoolMOS™ quality
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.225
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
63W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia de Activación Rds(on)
0.199ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
63
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
