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IPD50N10S3L16ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD50N10S3L16ATMA1
No. Parte Newark85X6031
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.880 |
| 10+ | $2.500 |
| 25+ | $2.250 |
| 50+ | $1.990 |
| 100+ | $1.720 |
| 250+ | $1.570 |
| 500+ | $1.400 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD50N10S3L16ATMA1
No. Parte Newark85X6031
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0125ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia Pd100W
Disipación de Potencia100W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPD50N10S3L16ATMA1
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Resumen del producto
The IPD50N10S3L-16 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0125ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
100W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
Disipación de Potencia
100W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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