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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD30N10S3L34ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5208
Re-reeling (Rollos a medida)79X1436RL
Cinta adhesiva79X1436
También conocido comoIPD30N10S3L-34, SP000261248
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.490 | $1.49 |
| Total Precio | $1.49 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.490 |
| 10+ | $1.280 |
| 25+ | $1.150 |
| 50+ | $1.050 |
| 100+ | $0.873 |
| 250+ | $0.775 |
| 500+ | $0.672 |
| 1000+ | $0.644 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.545 |
| 5000+ | $0.533 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD30N10S3L34ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5208
Re-reeling (Rollos a medida)79X1436RL
Cinta adhesiva79X1436
También conocido comoIPD30N10S3L-34, SP000261248
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0258ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd57W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia57W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPD30N10S3L-34 es un MOSFET de modo de mejora de canal N con las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para una mayor eficiencia térmica.
- Calificado AEC-Q101
- MSL1 hasta 260°C reflujo máximo
- Dispositivo verde
- 100% prueba de avalancha
- Paquetes robustos con calidad y confiabilidad superiores
- La carga total optimizada de la puerta permite etapas de salida del controlador más pequeñas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0258ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
57W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
57W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
