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IPD096N08N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 73 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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133 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.850 | $1.85 |
| Total Precio | $1.85 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.850 |
| 50+ | $1.190 |
| 100+ | $0.793 |
| 250+ | $0.711 |
| 500+ | $0.628 |
| 1000+ | $0.585 |
| 2500+ | $0.571 |
| 5000+ | $0.563 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD096N08N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)34AC1666RL
Cinta adhesiva34AC1666
Rango de ProductoOptiMOS 3
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id73
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0096
Resistencia de Activación Rds(on)0.0079ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia100
Disipación de Potencia Pd100W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS 3
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS ™ 3 ideal para conmutación de alta frecuencia
- Tecnología optimizada para convertidores CD/CD.
- Excelente carga de puerta x producto RDS (on) (FOM)
- Canal-N, nível nominal
- Probado avalancha 100%
- Calificado según JEDEC para aplicación obejtivo.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0096
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
100
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS 3
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
73
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0079ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Disipación de Potencia Pd
100W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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