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IPD055N08NF2SATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD055N08NF2SATMA1
No. Parte Newark63AK1709
Rango de ProductoStronglRFET Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
871 En Inventario
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642 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
229 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.390 |
| 10+ | $1.710 |
| 25+ | $1.580 |
| 50+ | $1.460 |
| 100+ | $1.330 |
| 250+ | $1.290 |
| 500+ | $1.250 |
| 1000+ | $1.230 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD055N08NF2SATMA1
No. Parte Newark63AK1709
Rango de ProductoStronglRFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id98
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4700µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8
Disipación de Potencia107
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoStronglRFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
98
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
107
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4700µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StronglRFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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