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IPD050N03LGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.460 | $1.46 |
| Total Precio | $1.46 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.460 |
| 10+ | $0.694 |
| 25+ | $0.640 |
| 50+ | $0.586 |
| 100+ | $0.531 |
| 250+ | $0.491 |
| 500+ | $0.451 |
| 1000+ | $0.385 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD050N03LGATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9038
Cinta adhesiva13AC9038
Rango de ProductoOptiMOS 3
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.005
Resistencia de Activación Rds(on)0.0042ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia Pd68W
Disipación de Potencia68
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS 3
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS™ 3
- MOSFET de conmutación rápida para SMPS
- Tecnología optimizada para convertidores CD/CD.
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino.
- Canal N, nivel lógico
- Excelente producto xRDS (encendido) de carga de puerta (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Avalancha clasificada
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.005
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
68W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS 3
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0042ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
Disipación de Potencia
68
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPD050N03LGATMA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
