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IPD038N06NF2SATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 120 A, 0.00385 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD038N06NF2SATMA1Copiar
No. Parte Newark68AK5319
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Su número de pieza
596 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.660 |
| 10+ | $1.050 |
| 25+ | $0.930 |
| 50+ | $0.814 |
| 100+ | $0.696 |
| 250+ | $0.621 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$8.30
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD038N06NF2SATMA1Copiar
No. Parte Newark68AK5319
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3850µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.3
Disipación de Potencia107
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
107
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3850µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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