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IPD029N04NF2SATMA1
MOSFET, CANAL N, 40V, 131A, TO-252
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD029N04NF2SATMA1Copiar
No. Parte Newark68AK5318
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
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440 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.710 |
| 10+ | $1.070 |
| 25+ | $0.956 |
| 50+ | $0.839 |
| 100+ | $0.724 |
| 250+ | $0.647 |
| 500+ | $0.570 |
| 1000+ | $0.520 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD029N04NF2SATMA1Copiar
No. Parte Newark68AK5318
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id131A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2400µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.4V
Disipación de Potencia107W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
131A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
107W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2400µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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