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IPD023N04NF2SATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 143 A, 0.0019 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD023N04NF2SATMA1Copiar
No. Parte Newark68AK5316
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.950 |
| 10+ | $1.250 |
| 25+ | $1.110 |
| 50+ | $0.969 |
| 100+ | $0.830 |
| 250+ | $0.744 |
| 500+ | $0.656 |
| 1000+ | $0.599 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD023N04NF2SATMA1Copiar
No. Parte Newark68AK5316
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id143
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1900µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.4
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
143
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1900µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto