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IPB80P04P407ATMA2
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB80P04P407ATMA2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)51AH5904RL
Cinta adhesiva51AH5904
Rango de ProductoOptiMOS-P2 Series
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391 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.450 | $3.45 |
| Total Precio | $3.45 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.450 |
| 50+ | $2.370 |
| 100+ | $1.950 |
| 250+ | $1.930 |
| 500+ | $1.910 |
| 1000+ | $1.610 |
| 2500+ | $1.390 |
| 5000+ | $1.170 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB80P04P407ATMA2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)51AH5904RL
Cinta adhesiva51AH5904
Rango de ProductoOptiMOS-P2 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0074
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia88
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS-P2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS-P2 Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0074
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
88
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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