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IPB65R155CFD7ATMA1
MOSFET, CANAL N, 650V, 15A, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB65R155CFD7ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)45AJ4672RL
Cinta adhesiva45AJ4672
Rango de ProductoCoolMOS CFD7 SJ
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 18 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.400 | $5.40 |
| Total Precio | $5.40 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.400 |
| 50+ | $3.080 |
| 100+ | $2.860 |
| 250+ | $2.710 |
| 500+ | $2.550 |
| 1000+ | $2.500 |
| 2500+ | $2.450 |
| 5000+ | $2.400 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB65R155CFD7ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)45AJ4672RL
Cinta adhesiva45AJ4672
Rango de ProductoCoolMOS CFD7 SJ
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id15A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.132ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia77W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS CFD7 SJ
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CFD7 SJ
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
15A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.132ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
77W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto