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IPB65R125CFD7ATMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 19A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB65R125CFD7ATMA1
No. Parte Newark45AJ4671
Rango de ProductoCoolMOS CFD7 SJ
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.770 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB65R125CFD7ATMA1
No. Parte Newark45AJ4671
Rango de ProductoCoolMOS CFD7 SJ
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id19A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia98W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS CFD7 SJ
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
98W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CFD7 SJ
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
19A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto