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IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB65R110CFDAATMA1
No. Parte Newark13AC9032
Rango de ProductoCoolMOS CFDA
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.020 |
| 10+ | $3.020 |
| 25+ | $3.020 |
| 50+ | $3.020 |
| 100+ | $3.020 |
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| 500+ | $2.770 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB65R110CFDAATMA1
No. Parte Newark13AC9032
Rango de ProductoCoolMOS CFDA
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id31.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.099ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.11
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd277.8mW
Disipación de Potencia277.8
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS CFDA
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ CFDA de 650 V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje.
- Diseñado según el principio de superjunción (SJ)
- Diodo de cuerpo ultrarrápido
- Muy alta robustez de conmutación
- Pérdidas extremadamente bajas debido a muy bajas FOM Edson * Qg y ROSS
- Fácil de usar/manejar
- Calificado según AEC Q101
- Diseñado para aplicaciones de conmutación
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.099ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
277.8mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CFDA
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
31.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.11
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
277.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPB65R110CFDAATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65