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IPB60R360P7ATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 9A, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R360P7ATMA1
No. Parte Newark49AC7999
Rango de ProductoCoolMOS P7
Su número de pieza
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55 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.800 |
| 10+ | $1.210 |
| 25+ | $1.110 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.932 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.878 |
| 2000+ | $0.854 |
| 4000+ | $0.829 |
| 6000+ | $0.819 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R360P7ATMA1
No. Parte Newark49AC7999
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id9
Resistencia de Activación Rds(on)0.305ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.36
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia Pd41W
Disipación de Potencia41
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IPB60R360P7ATMA1
2 productos encontrados
Resumen del producto
600V CoolMOS™ P7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC silverbox, adapter, LCD & PDP TV, lighting, server, telecom and UPS.
- Suitable for hard and soft switching due to an outstanding commutation ruggedness
- Significant reduction of switching and conduction losses
- Excellent ESD robustness <gt/>2KV (HBM) for all products
- Best in class RDS(on)/package
- Ease of use and fast design-in through low ringing tendency and usage across PFC and PWM stages
- Simplified thermal management due to low switching and conduction losses
- Increased power density solutions
- Suitable for a wide variety of applications and power ranges
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.305ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
41W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.36
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia
41
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto