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IPB60R360P7ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R360P7ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5179
Re-reeling (Rollos a medida)49AC7999RL
Cinta adhesiva49AC7999
Rango de ProductoCoolMOS P7
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235 En Inventario
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.170 | $2.17 |
| Total Precio | $2.17 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.170 |
| 50+ | $1.280 |
| 100+ | $0.927 |
| 250+ | $0.842 |
| 500+ | $0.756 |
| 1000+ | $0.669 |
| 2500+ | $0.625 |
| 5000+ | $0.613 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.797 |
| 3000+ | $0.713 |
| 5000+ | $0.681 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R360P7ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5179
Re-reeling (Rollos a medida)49AC7999RL
Cinta adhesiva49AC7999
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.36ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.305ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia Pd41W
Disipación de Potencia41W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
600V CoolMOS™ P7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC silverbox, adapter, LCD & PDP TV, lighting, server, telecom and UPS.
- Suitable for hard and soft switching due to an outstanding commutation ruggedness
- Significant reduction of switching and conduction losses
- Excellent ESD robustness <gt/>2KV (HBM) for all products
- Best in class RDS(on)/package
- Ease of use and fast design-in through low ringing tendency and usage across PFC and PWM stages
- Simplified thermal management due to low switching and conduction losses
- Increased power density solutions
- Suitable for a wide variety of applications and power ranges
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.36ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
41W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.305ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
Disipación de Potencia
41W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPB60R360P7ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto