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IPB60R125CPATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R125CPATMA1
No. Parte Newark33P7133
Rango de ProductoCoolMOS Series
También conocido comoIPB60R125CP, SP000297368
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.260 |
| 10+ | $5.530 |
| 25+ | $5.020 |
| 50+ | $4.490 |
| 100+ | $3.980 |
| 250+ | $3.950 |
| 500+ | $3.920 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R125CPATMA1
No. Parte Newark33P7133
Rango de ProductoCoolMOS Series
También conocido comoIPB60R125CP, SP000297368
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125
Resistencia de Activación Rds(on)0.11ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd208W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia208
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IPB60R125CPATMA1 is a IPB60R125CP CoolMOS™ power transistor this CoolMOS™ CP is specially designed for hard switching topologies for server and telecom.
- Lowest figure-of-merit RONxQg
- Ultra-low gate charge
- Extreme dv/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 25A continuous drain current at TC = 25°C
- 82A pulsed drain current at TC = 25°C
- 208W power dissipation at TC = 25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
- Gate threshold voltage(V GS(th) ) of 3.5V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.11ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
208
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
208W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto