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IPB60R099CPATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R099CPATMA1
No. Parte Newark33P7131
También conocido comoIPB60R099CP, SP000088490
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.970 |
| 10+ | $4.310 |
| 25+ | $4.130 |
| 50+ | $3.940 |
| 100+ | $3.760 |
| 250+ | $3.760 |
| 500+ | $3.750 |
| 1000+ | $3.060 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R099CPATMA1
No. Parte Newark33P7131
También conocido comoIPB60R099CP, SP000088490
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.099ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.09ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd255W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia255
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IPB60R099CP es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 650V que presenta una carga de puerta ultrabaja. Está diseñado para topologías de conmutación dura y de conmutación suave, CCM PFC y PWM para ATX, PDP con adaptador para notebook y TV LCD. Está especialmente diseñado para topologías de conmutación dura para servidores y telecomunicaciones.
- Bajo figura de mérito (FOM) RON x Qg
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Ultra bajo RDS (ENCENDIDO)
- Conmutación muy rápida
- Rg interno muy bajo
- Gran capacidad de corriente
- Reducción significativa de las pérdidas de conducción y conmutación.
- Alta densidad de potencia y eficiencia para sistemas de conversión de potencia superiores.
- La mejor relación de rendimiento de su clase
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.099ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
255W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia de Activación Rds(on)
0.09ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
255
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto