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IPB60R099CPATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R099CPATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33P7131RL
Cinta adhesiva33P7131
También conocido comoIPB60R099CP, SP000088490
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1,351 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.860 | $7.86 |
| Total Precio | $7.86 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.860 |
| 10+ | $5.200 |
| 25+ | $4.800 |
| 50+ | $4.410 |
| 100+ | $4.010 |
| 250+ | $3.940 |
| 500+ | $3.870 |
| 1000+ | $3.620 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R099CPATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33P7131RL
Cinta adhesiva33P7131
También conocido comoIPB60R099CP, SP000088490
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.099
Resistencia de Activación Rds(on)0.09ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd255W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia255
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPB60R099CP es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 650V que presenta una carga de puerta ultrabaja. Está diseñado para topologías de conmutación dura y de conmutación suave, CCM PFC y PWM para ATX, PDP con adaptador para notebook y TV LCD. Está especialmente diseñado para topologías de conmutación dura para servidores y telecomunicaciones.
- Bajo figura de mérito (FOM) RON x Qg
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Ultra bajo RDS (ENCENDIDO)
- Conmutación muy rápida
- Rg interno muy bajo
- Gran capacidad de corriente
- Reducción significativa de las pérdidas de conducción y conmutación.
- Alta densidad de potencia y eficiencia para sistemas de conversión de potencia superiores.
- La mejor relación de rendimiento de su clase
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.099
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia de Activación Rds(on)
0.09ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
255W
Disipación de Potencia
255
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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