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IPB60R099CPATMA1.
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R099CPATMA1.
No. Parte Newark27AC6719
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.890 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB60R099CPATMA1.
No. Parte Newark27AC6719
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id31
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09
Resistencia de Activación Rds(on)0.09ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd255W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia255
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
255W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia de Activación Rds(on)
0.09ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
255
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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